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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [18]
作者
金鹏 [1]
叶小玲 [1]
文献类型
期刊论文 [7]
会议论文 [6]
专利 [5]
发表日期
2006 [18]
语种
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中文 [5]
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共18条,第1-10条
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发表日期:2006
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
冉军学
;
李建平
;
胡国新
;
王军喜
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2009/06/11
改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
王翠梅
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
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浏览/下载:1282/179
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提交时间:2009/06/11
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
王翠梅
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1069/142
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提交时间:2009/06/11
提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王翠梅
;
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
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浏览/下载:1086/153
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提交时间:2009/06/11
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
王翠梅
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1167/183
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li HP (Li Jianping)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:2186/326
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提交时间:2010/04/11
Room temperature mobility above 2100 cm2/Vs in Al0.3Ga0.7N/AIN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1998/347
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提交时间:2010/03/29
Molecular-beam Epitaxy
2-dimensional Electron-gas
Bulk Gan
Optimization
Layers
Hemts
Influence of Al content on electrical and structural properties of Si-doped AlxGa1-xN/GaN HEMT structures
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Wang, CM
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
;
Wang, CM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1331/297
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提交时间:2010/03/29
High Breakdown Voltage
Mobility Transistors
Heterostructures
Sapphire
Ganhemts
Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Liu, C
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Li, CJ
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1510/262
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提交时间:2010/03/29
Thermally Stimulated Current
Gallium Nitride
Defects
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang BZ (Wang Bao-Zhu)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Ran JX (Ran Jun-Xue)
;
Wang XH (Wang Xin-Hua)
;
Guo LC (Guo Lun-Chun)
;
Xiao HL (Xiao Hong-Ling)
;
Li JP (Li Jian-Ping)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Wang, BZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangbz@semi.ac.cn
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浏览/下载:1004/266
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提交时间:2010/04/11