Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD
Fang, CB; Wang, XL; Wang, JX; Liu, C; Wang, CM; Hu, GX; Li, JP; Li, CJ; Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
2006
会议名称32nd International Symposium on Compound Semiconductors
会议录名称Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS
页码Vol 3 no 3 3 (3): 585-588
会议日期SEP 18-22, 2005
会议地点Rust, GERMANY
出版地605 THIRD AVE, NEW YORK, NY 10158-0012 USA
出版者WILEY-VCH, INC
ISSN1610-1634
部门归属chinese acad sci, inst semicond, beijing 100083, peoples r china
摘要Undoped high resistivity (HR) GaN epilayers were grown on (0001) sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Thermally stimulated current (TSC) and resistivity measurements have been carried out to investigate deep level traps. Deep levels with activation energies of 1.06eV and 0.85eV were measured in sample 1. Gaussian fitting of TSC spectra showed five deep levels in different samples. (c) 2006 WILEY VCH Vertag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
关键词Thermally Stimulated Current Gallium Nitride Defects
学科领域半导体材料
收录类别CPCI-S
语种英语
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9934
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
通讯作者Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
推荐引用方式
GB/T 7714
Fang, CB,Wang, XL,Wang, JX,et al. Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD[C]. 605 THIRD AVE, NEW YORK, NY 10158-0012 USA:WILEY-VCH, INC,2006:Vol 3 no 3 3 (3): 585-588.
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