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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:半导体超晶格国家重点实验室
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P. Xiong
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X. L. Wang
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J. H. Zhao
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L. F. Wang
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Z. Huang
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W. B. Wu
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提交时间:2019/11/18
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Zhan, F
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Wang, HL
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Huang, SS
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Ni, HQ
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Niu, ZC
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhan F
;
Wang HL
;
He JF
;
Wang JA
;
Huang SS
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Zhan, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. zhf@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang X (Huang X.)
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Zhang XH (Zhang X. H.)
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Zhu YG (Zhu Y. G.)
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Li T (Li T.)
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Han LF (Han L. F.)
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Shang XJ (Shang X. J.)
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Ni HQ (Ni H. Q.)
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Niu ZC (Niu Z. C.)
;
Zhang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xinhuiz@semi.ac.cn
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提交时间:2010/08/17
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
牛智川
;
倪海桥
;
王海莉
;
贺继方
;
朱岩
;
李密峰
;
王鹏飞
;
黄社松
;
熊永华
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提交时间:2011/08/30