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| 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平 Adobe PDF(566Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1356/216  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平 Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1321/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段垚; 王晓峰; 崔军朋; 曾一平 Adobe PDF(1207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1464/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓峰; 段垚; 崔军朋; 曾一平 Adobe PDF(440Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1310/187  |  提交时间:2009/06/11 |
| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 高宏玲; 曾一平; 段瑞飞; 王宝强; 朱战平; 崔利杰 Adobe PDF(687Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1582/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 马志勇; 冉学军; 王翠敏; 肖红领; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1622/233  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平 Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1464/197  |  提交时间:2009/06/11 |
| 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1276/179  |  提交时间:2009/06/11 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(830Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1064/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠梅; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(656Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1083/153  |  提交时间:2009/06/11 |