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采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  杨富华;  王良臣;  黄应龙
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带导光筒的太阳能电池聚光装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  白一鸣;  黄添懋
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang H;  Wan YZ;  He F;  Huang Y;  Xu JD;  Li JM;  Wang YL;  Zhao ZG;  Wan, YZ, Tianjin Univ, Sch Mat Sci & Engn, Tianjin 300072, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzwantju@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, BP;  Wu, DH;  Ni, HQ;  Huang, SS;  Zhan, F;  Xiong, YH;  Xu, YQ;  Niu, ZC;  Wu, DH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wudonghai@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu LJ;  Chen YH;  Ye XL;  Huang XQ;  Liang LY;  Ding F;  Wang ZG;  Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangjun_hu@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, SS (Huang, Shesong);  Niu, ZC (Niu, Zhichuan);  Ni, HQ (Ni, Haiqiao);  Xiong, YH (Xiong, Yonghua);  Zhan, F (Zhan, Feng);  Fang, ZD (Fang, Zhidan);  Xia, JB (Xia, Jianbai);  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, SS (Huang She-Song);  Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan);  Ni, HQ (Ni Hai-Qiao);  Zhan, F (Zhan Feng);  Zhao, H (Zhao Huan);  Sun, Z (Sun Zheng);  Xia, JB (Xia Jian-Bai);  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@semi.ac.cn
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