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Design and fabrication of GaAs OMIST photodetector 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Kang XJ;  Lin SM;  Liao QW;  Gao JH;  Liu SA;  Cheng P;  Wang HJ;  Zhang CH;  Wang QM;  Kang XJ Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Photodetector  Oxidation  Materials Growth  
Growth of Fe doped semi-insulating InP by LP-MOCVD 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Yan XJ;  Zhu HL;  Wang W;  Xu GY;  Zhou F;  Ma CH;  Wang XJ;  Tian HL;  Zhang JY;  Wu RH;  Wang QM;  Yan XJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Semi-insulating  Fe-doped  Mocvd  
Visible vertical cavity surface emitting laser 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:  Cheng P;  Ma XY;  Gao JH;  Kang XJ;  Cao Q;  Wang HJ;  Luo LP;  Zhang CH;  Lu XL;  Lin SM;  Cheng P Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Semiconductor Lasers  Oxidation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王佑祥;  岳瑞峰;  陈春华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  岳瑞峰;  王佑祥;  陈春华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  岳瑞峰;  王佑祥;  陈春华;  徐传骧
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈昌华;  徐俊英;  陈良惠;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈博;  王圩;  张静媛;  汪孝杰;  周帆;  朱洪亮;  边静;  马朝华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈博;  王圩;  汪孝杰;  张静媛;  周帆;  马朝华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈博;  王圩;  汪孝杰;  张静媛;  朱洪亮;  周帆;  王玉田;  马朝华;  张子莹;  刘国利
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