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Design and fabrication of GaAs OMIST photodetector 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Kang XJ;  Lin SM;  Liao QW;  Gao JH;  Liu SA;  Cheng P;  Wang HJ;  Zhang CH;  Wang QM;  Kang XJ Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Photodetector  Oxidation  Materials Growth  
The role of hydrogen in semi-insulating INP 会议论文
HYDROGEN IN SEMICONDUCTORS AND METALS, 513, SAN FRANCISCO, CA, APR 13-17, 1998
作者:  Han YJ;  Liu XL;  Jiao JH;  Qian JJ;  Chen YH;  Wang ZG;  Lin LY;  Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Visible vertical cavity surface emitting laser 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:  Cheng P;  Ma XY;  Gao JH;  Kang XJ;  Cao Q;  Wang HJ;  Luo LP;  Zhang CH;  Lu XL;  Lin SM;  Cheng P Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Semiconductor Lasers  Oxidation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen W;  Wang ZG;  Lin ZJ;  Lin LY;  Fang KM;  Xu Y;  Su MZ;  Lin JH;  Chen W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: wchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei HB;  Yang QQ;  Zhu JL;  Gao JH;  Wang HJ;  Wang QM;  Lei HB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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Twin and grain boundary in InP: A synchrotron radiation study 会议论文
APPLICATIONS OF SYNCHROTRON RADIATION TECHNIQUES TO MATERIALS SCIENCE IV, 524, SAN FRANCISCO, CA, APR 13-17, 1998
作者:  Han YJ;  Jiang JH;  Wang ZG;  Liu XL;  Jiao JH;  Tian YL;  Lin LY;  Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王健华;  金峰;  俞谦;  孙可;  李德杰;  蔡丽红;  黄绮;  周钧铭;  王玉田;  庄岩
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