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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
江德生 [4]
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王杰 [1]
文献类型
期刊论文 [30]
会议论文 [2]
发表日期
1998 [32]
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出处
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发表日期:1998
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Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
;
Zhang W
;
Mo QW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Coherent Islands
Gaas
Growth
Dots
Dislocations
Temperature
Mechanisms
Si(001)
Ingaas
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang HM
;
Zeng YP
;
Zhou HW
;
Kong MY
;
Wang HM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1147/368
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou HW
;
Zeng YP
;
Wang HM
;
Dong JR
;
Zhu ZP
;
Pan L
;
Kong MY
;
Zhou HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin LY
;
Zhong XR
;
Chen NF
;
Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: nfchen@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang R
;
Yang R,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang HM
;
Fan TW
;
Wu J
;
Zeng YP
;
Dong JR
;
Kong MY
;
Wang HM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
;
Mo QW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhuang QD
;
Li JM
;
Li HX
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Chen YH
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Zhuang QD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:916/256
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun BQ
;
Lu ZD
;
Jiang DS
;
Wu JQ
;
Xu ZY
;
Wang YQ
;
Wang JN
;
Ge WK
;
Sun BQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/08/12
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1997, 156, SAN DIEGO, CALIFORNIA, SEP 08-11, 1997
作者:
Jiang DS
;
Ramsteiner M
;
Brandt O
;
Ploog KH
;
Tews H
;
Graber A
;
Averbeck R
;
Riechert H
;
Jiang DS Paul Drude Inst Solid State Elect D-10117 Berlin Germany.
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提交时间:2010/11/15
Shallow Donors