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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Ji HM;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang ZG;  Yang, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu YX;  Yang T;  Ji HM;  Xu PF;  Wang ZG;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang X. L.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Yang H (Yang H.);  Liang JW (Liang J. W.);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang X. L.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Chen J (Chen J.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Yang H (Yang H.);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HM;  Zeng YP;  Zhou HW;  Kong MY;  Wang HM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HW;  Zeng YP;  Wang HM;  Dong JR;  Zhu ZP;  Pan L;  Kong MY;  Zhou HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HM;  Fan TW;  Wu J;  Zeng YP;  Dong JR;  Kong MY;  Wang HM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Dislocations in InAs epilayers grown by MBE on GaAs substrates under various conditions 会议论文
ELECTRON MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS AND ULSI DEVICES, 523, SAN FRANCISCO, CA, APR 15-16, 1998
作者:  Wang HM;  Zeng YP;  Pan L;  Zhou HW;  Zhu ZP;  Kong MY;  Wang HM Chinese Acad Sci Inst Semicond Div Novel Mat POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(1119Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：864/155  |  提交时间：2010/10/29