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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu CR;  Li JB;  Liu, CR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. supermanliu5@semi.ac.cn;  jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li JB (Li Jingbo);  Li SS (Li Shu-Shen);  Peng HW (Peng Haowei);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Wang LW (Wang Lin-Wang);  Wei SH (Wei Su-Huai);  Deng, HX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Wang H;  Zhang SM;  Wang YT;  Yang H;  Zhao DG Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su FH (Su F. H.);  Liu YF (Liu Y. F.);  Chen W (Chen W.);  Wang WJ (Wang W. J.);  Ding K (Ding K.);  Li GH (Li G. H.);  Joly AG (Joly A. G.);  McCready DE (McCready D. E.);  Chen, W, Univ Texas, Dept Phys, POB 19059, Arlington, TX 76019 USA. E-mail: fhsu@red.semi.ac.cn;  wchen@nomadics.com;  ghli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JM;  Dong ZY;  Wei XC;  Duan ML;  Li JM;  Zhou, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li J;  Carrier P;  Wei SH;  Li SS;  Xia JB;  Li, J, Natl Renewable Energy Lab, Golden, CO 80401 USA.
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The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure 会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:  Ran, JX;  Wang, XL;  Hu, GX;  Li, JP;  Wang, JX;  Wang, CM;  Zeng, YP;  Li, JM;  Ran, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Aln  Impurities  Donor  
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Kong MY;  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Impurities  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Semiconducting Iii-v Materials  Gallium Nitride  Sapphire Substrate  Defects  Heterostructure  Semiconductors  Stress  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tsang MS;  Wang JN;  Ge WK;  Li GH;  Fang ZL;  Chen Y;  Han HX;  Li LH;  Pan Z;  Tsang MS,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Clear Water Bay,Kowloon,Hong Kong,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong MY;  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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