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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zeng C (Zeng Chang);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Ji L (Ji Lian);  Wang HB (Wang Huai-Bing);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Cao Q (Cao Qing);  Chong M (Chong Ming);  Duan LH (Duan Li-Hong);  Wang H (Wang Hai);  Shi YS (Shi Yong-Sheng);  Liu SY (Liu Su-Ying);  Yang H (Yang Hui);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Zeng, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LJ;  Zhang SM;  Wang YT;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Wang H;  Shi YS;  Liu SY;  Yang H;  Zhang SM Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, JH;  Zhang, SM;  Sun, X;  Zhao, DG;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Jiang, DS;  Duan, LH;  Wang, H;  Shi, YS;  Liu, SY;  Yang, H;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang LQ;  Zhang SM;  Yang H;  Cao Q;  Ji L;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhao DG;  Jiang DS;  Duan LH;  Wang H;  Shi YS;  Liu SY;  Chen LH;  Liang JW;  Zhang, LQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, J (Li, Jun);  Shi, SL (Shi, S. L.);  Wang, YJ (Wang, Y. J.);  Xu, SJ (Xu, S. J.);  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Yang, H (Yang, H.);  Lu, F (Lu, F.);  Li, J, Fudan Univ, Dept Phys, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo LW;  Shi JJ;  Cheng WQ;  Li YK;  Huang Q;  Zhou JM;  Guo LW,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  尹志岗;  张曙光;  张兴旺;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
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增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张兴旺;  张曙光;  尹志岗;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
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一种化学气相淀积外延设备用的进气装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN200920222264.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  朱建军;  王海;  史永生
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ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  施辉东;  张兴旺;  张曙光;  尹志岗;  董敬敬;  刘鑫
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