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面向应用的高速脑-机接口系统研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  姚兆林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang QY;  Wang J;  Wang JH;  Liu ZL;  Lin LY;  Wang, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novl Semicond Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qywang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李宁;  张国强;  刘忠立;  范楷;  郑中山;  林青;  张正选;  林成鲁
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王建林;  刘忠立;  王良臣;  曾一平;  杨富华;  白云霞
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Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Li, N;  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Fan, K;  Zheng, ZS;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(144Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2137/231  |  提交时间：2010/03/29
Simox  Fluorine  Ionizing Radiation  
Influence of fluorine on radiation-induced charge trapping in the SIMOX buried oxides 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Li, N;  Zhen, ZS;  Liu, GH;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Zhang, GQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Fluorine  Simox  Charge Trapping  Radiation  Sio2  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  昝育德;  王俊;  李瑞云;  韩秀峰;  王建华;  于芳;  刘忠立;  王玉田;  王占国;  林兰英
Adobe PDF(410Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1377/415  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin ZL;  Zheng XH;  Wang Q;  Zhou ML;  Lin, ZL, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Ion Beam Lab, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: lzlsim@sina.com.cn
Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：777/195  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan LW;  Wang QY;  Wang J;  Yu YH;  Liu ZL;  Lin LY;  Tan LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,Ctr Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林志浪;  郑新和;  王群;  周美玲
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