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非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  林兰英;  王玉田;  何宏家;  钟兴儒
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一种恒温装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  昝育德;  李瑞云;  王俊;  林兰英
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Modulation magnesium-doping in AlGaN/GaN superlattices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Liu XL;  Yuan HR;  Lu DC;  Wang XH;  Liu XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(277Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1060/178  |  提交时间：2010/10/29
Mg-doped  Algan/gan Superlattices  Resistivity  Hole Concentration  Polarization  
自组织InAs/GaAs量子点的光电性质和生长机理 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000
作者:  王海龙
Adobe PDF(7628Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：687/21  |  提交时间：2009/04/13
Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes 会议论文
SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS, CANBERRA, AUSTRALIA, JUL 03-07, 2000
作者:  Lu LW;  Zhang YH;  Xu ZT;  Xu ZY;  Wang ZG;  Wang J;  Ge WK;  Lu LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(245Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1320/368  |  提交时间：2010/11/15
In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 221, SAPPORO, JAPAN, JUN 05-09, 2000
作者:  Lu DC;  Wang CX;  Yuan HR;  Liu XL;  Wang XH;  Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat & Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Gan  Annealing Treatment  In-doping  Movpe  Photoluminescence  Chemical-vapor-deposition  Phase Epitaxy  Buffer Layer  Films  Sapphire  
自组织生长量子点激光材料和器件研究 成果
2000
主要完成人:  王占国;  封松林;  徐仲英;  梁基本;  徐波
收藏  |  浏览/下载：2275/0  |  提交时间：2010/04/13
量子点  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Wang XX;  Zeng YP;  Wang YT;  Wang BQ;  Pan L;  Wu J;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD,Nanyang Technol Univ,Sch EEE,Nanyang Ave,Singapore 639798,Singapore.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SZ;  Xie SW;  Pang QJ;  Zheng H;  Xia YX;  Ji RB;  Wu Y;  He L;  Zhu ZM;  Li GH;  Wang ZP;  Wang SZ,Shanghai Jiao Tong Univ,Dept Appl Phys,Lab Optoelect Mat & Optoelect Devices,Shanghai 200030,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang MH;  Han YJ;  Zhang YH;  Huang Q;  Bao CL;  Wang WX;  Zhou JM;  Lu LW;  Zhang MH,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Ctr Condensed Matter Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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