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采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  雷红兵;  王红杰;  胡雄伟;  邓晓清;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙元平;  付羿;  渠波;  王玉田;  冯玉宏;  赵德刚;  郑新和;  段俐宏;  李秉臣;  张书明;  杨辉;  姜晓明;  郑文莉;  贾全杰
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