采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法
雷红兵; 王红杰; 胡雄伟; 邓晓清; 王启明
2002-03-27
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2000-09-04
语种中文
申请号CN00124309.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3055
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
雷红兵,王红杰,胡雄伟,等. 采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法[P]. 2002-03-27.
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