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| 非极性a-GAN的生长及相关物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 王建霞
 Adobe PDF(4985Kb) |  收藏 | 浏览/下载：709/45 | 提交时间：2014/05/29 |
| 量子点红外激光器和探测器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 孔金霞
Adobe PDF(7486Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1455/88 | 提交时间：2012/06/26 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱洪亮 ; 梁松; 李宝霞; 赵玲娟; 王宝军; 边静; 许晓冬; 朱小宁; 王圩
Adobe PDF(349Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1542/435 | 提交时间：2011/08/16 |
| InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010591575.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孔金霞; 徐波; 王占国
Adobe PDF(425Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1300/267 | 提交时间：2011/08/31 |
| 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人: 冯玉霞; 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 孔苏苏
Adobe PDF(1519Kb) | 收藏 | 浏览/下载：671/69 | 提交时间：2014/11/24 |
| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国
Adobe PDF(582Kb) | 收藏 | 浏览/下载：941/103 | 提交时间：2014/12/25 |
| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国
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| 一种有多色响应的量子点红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 贾亚楠; 徐波; 孔金霞; 王占国
Adobe PDF(560Kb) | 收藏 | 浏览/下载：668/74 | 提交时间：2014/10/31 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
Adobe PDF(391Kb) | 收藏 | 浏览/下载：954/98 | 提交时间：2014/10/29 |
| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(1880Kb) | 收藏 | 浏览/下载：800/33 | 提交时间：2014/10/28 |
