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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: J. X. Duan, N. Tang, J. D. Ye, F. H. Mei, K. L. Teo, Y. H. Chen, W. K. Ge, B. Shen Adobe PDF(690Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:352/100  |  提交时间:2014/02/12 |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1118/184  |  提交时间:2012/09/09 |
| 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 桑玲; 王俊; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(288Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1670/250  |  提交时间:2012/09/09 |
| 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11 发明人: 冯玉霞; 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 孔苏苏 Adobe PDF(1519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:734/69  |  提交时间:2014/11/24 |
| 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02 发明人: 康贺; 王晓亮; 肖红领; 王翠梅; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 崔磊 Adobe PDF(566Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:833/108  |  提交时间:2014/11/24 |
| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12 发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(1180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:807/90  |  提交时间:2014/11/05 |
| 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12 发明人: 杨少延; 张恒; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(894Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:801/79  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1032/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:885/33  |  提交时间:2014/10/28 |
| 氮化铝单晶材料制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19 发明人: 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林 Adobe PDF(872Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:652/69  |  提交时间:2014/10/29 |