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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, YJ;  Ma, P;  Wei, XC;  Zeng, YP
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji, XL;  Wei, TB;  Yang, FH;  Lu, HX;  Wei, XC;  Ma, P;  Yi, XY;  Wang, JX;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Li, JM
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, L.;  Ding, K.;  Liu, N.X.;  Wei, T.B.;  Ji, X.L.;  Ma, P.;  Yan, J.C.;  Wang, J.X.;  Zeng, Y.P.;  Li, J.M.;  Zhang, L.(zhanglian07@semi.ac.cn)
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调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185052A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马平;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马平;  李京波;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
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一种氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马平;  王军喜;  刘乃鑫;  路红喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马平;  王军喜;  魏学成;  曾一平;  李晋闽
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一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2105/300  |  提交时间：2011/08/31
采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157625.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马平;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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