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Theoretical study of polarization-doped GaN-based light-emitting diodes 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: 101110
Authors:  Zhang, L.;  Ding, K.;  Liu, N.X.;  Wei, T.B.;  Ji, X.L.;  Ma, P.;  Yan, J.C.;  Wang, J.X.;  Zeng, Y.P.;  Li, J.M.;  Zhang, L.(zhanglian07@semi.ac.cn)
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Electron Injection  Gallium Alloys  Gallium Nitride  Light  Light Emission  Organic Light Emitting Diodes(Oled)  Polarization  
AlInGaN四元合金的MOCVD生长及InGaN/AlInGaN LED器件性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
Authors:  刘乃鑫
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垂直腔面发射激光器的TO封装的耦合效率模拟分析 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 751-755
Authors:  刘超;  王欣;  袁海庆;  钟宝嗾;  祝宁暶
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一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  纪攀峰;  李京波;  闫建昌;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
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一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
Inventors:  纪攀峰;  李京波;  闫建昌;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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一种氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  马平;  王军喜;  刘乃鑫;  路红喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
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金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010514077.2, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  魏同波;  王军喜;  路红喜;  刘乃鑫;  曾一平;  李晋闽
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一种紫外LED的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102148300A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  贠利君;  吴奎;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜
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