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| 铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 林涛; 江李; 陈芳; 刘素平; 潭满清; 王国宏; 韦欣; 马骁宇
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| 晶圆表面脱液处理装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242752.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 马骁宇; 刘素平; 李全宁; 熊聪; 张海艳; 罗泓; 冯小明
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| 半导体激光器储存盒 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910243746.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 李全宁; 刘素平; 马骁宇; 熊聪; 张海艳; 罗泓; 冯小明
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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 一种氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 马平; 王军喜; 刘乃鑫; 路红喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175445.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 朱洪亮; 张兴旺; 朱小宁; 刘德伟; 马丽; 黄永光
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| 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113777.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 朱洪亮; 朱小宁; 刘德伟; 马丽; 赵玲娟
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| 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102227005A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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