| 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法 | |
朱洪亮; 张兴旺 ; 朱小宁; 刘德伟; 马丽; 黄永光
| |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种以掺杂广谱吸收层作为太阳能电池背光面的结构。该掺杂广谱吸收层，包括凹凸不平的晶锥掺杂黑硅、熔融凝固后的掺杂准平面硅，以及离子注入掺杂退火后的平面硅。本发明同时公开了一种制作背光面广谱吸收硅基太阳能电池结构的方法。本发明能有效提高硅基太阳能电池的光电转换效率。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 专利号 | CN201010175445.5 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201010175445.5 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22203 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱洪亮,张兴旺,朱小宁,等. 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法. CN201010175445.5. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN201010175445.5.pdf（550KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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