具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法; 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法
刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法,包括:在p型硅基衬底的一面制作二氧化硅掩蔽层;光刻二氧化硅掩蔽层,在二氧化硅掩蔽层的中间形成一环形和圆形n型掺杂窗口;在环形和圆形n型掺杂窗口采用磷离子注入或磷扩散的方法,形成n型掺杂层,环形n型掺杂层形成PN结保护环,圆形n型掺杂层形成PN结光敏区;在硫系环境下,采用超快激光脉冲辐照n型硅靶材表面的方法,在圆形PN结光敏区的表面形成硅纳米点层;在硅纳米点层上面淀积一层增透膜层;光刻增透膜层,在增透膜层的表面形成环形电极窗口;在环形电极窗口上制备光敏区正面接触电极;在保护环上制备正面接触电极;在p型硅基衬底的背面制备背面接触电极,完成器件的制作。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN102227005A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110155465.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23481
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
刘德伟,黄永光,朱小宁,等. 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法, 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法. CN102227005A.
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