一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法
朱洪亮; 朱小宁; 刘德伟; 马丽; 赵玲娟
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构,该结构包括:硅基衬底;在硅基衬底正面制作的陷光材料层;以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明,能充分利用黑硅材料广谱吸收的特点,使进入电池的太阳光几乎能被全部吸收,为光电流作出贡献,解决了传统硅基电池受红外吸收限制,不能吸收和转化1.1μm以上波长太阳光谱的问题,有效提高了硅基太阳能电池的光电转换效率。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN201010113777.0
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010113777.0
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22223
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
朱洪亮,朱小宁,刘德伟,等. 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法. CN201010113777.0.
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