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| 基于谐振原理工作的MEMS滤波器模块 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534603.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宁瑾 ; 李永梅; 韩国威; 杨富华
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| 基于差分方法的MEMS器件信号检测电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010564525.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 韩国威; 宁瑾; 孙国胜; 赵永梅; 杨富华
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| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华
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| 一种制备图形化多孔硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 赵永梅; 杨香; 季安; 张明亮; 韩国威; 宁瑾; 王晓东; 杨富华
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| 利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 杨健; 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 赵永梅; 梁秀琴
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| 环形检测电极面内伸缩谐振器设计及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 张萌; 宁瑾; 司朝伟; 韩国威; 赵永梅
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| 应用在MEMS器件中的弱耦合弹性梁结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 赵永梅; 杨富华
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| 采用晶圆级封装的MEMS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 赵永梅; 杨富华
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| 在衬底上制备多级台阶的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 杨健; 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 赵永梅; 梁秀琴; 王晓东; 杨富华
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