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| 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 邵永波; 赵玲娟; 于红艳; 潘教青; 王宝军; 王圩
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| 一种直调式InP基单片集成少模光通信发射器芯片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩
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| 基于多模干涉器结构的外调制型少模光通信发射芯片 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 张莉萌; 陆丹; 赵玲娟; 余力强; 潘碧玮; 王圩
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| 可实现波长宽调谐的分布反射布拉格激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人: 余力强; 梁松; 赵玲娟; 张灿; 吉晨
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| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国
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| 一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 梁松; 张灿; 于立强; 赵玲娟; 朱洪亮; 吉晨; 王圩
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| 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 周旭亮; 于红艳; 潘教青; 赵玲娟; 王圩
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| 一种测量LED内量子效率的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人: 余力强; 赵玲娟; 朱洪亮; 吉晨; 陆丹; 潘教青; 王圩
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| 基于半导体双模激光器的优质可调谐光生微波源 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
发明人: 潘碧玮; 陆丹; 赵玲娟; 余力强
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