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Si 基及图形衬底GaN 异质外延研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  林郭强
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  段瑞飞;  魏同波;  马平;  王军喜;  刘喆;  王晓亮;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  王晓亮;  刘宏新
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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1598/189  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩根全;  林桂江;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李宁;  张国强;  刘忠立;  范楷;  郑中山;  林青;  张正选;  林成鲁
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡桂青;  孔翔;  王乙潜;  万里;  段晓峰;  陆沅;  刘祥林
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砷化镓材料、器件与电路 成果
1997
主要完成人:  姚林生;  王占国;  夏冠群;  李爱珍;  孔梅影
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砷化镓  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  潘广勤;  廖显伯;  王燕;  刁宏伟;  孔光临
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王燕;  廖显伯;  潘广勤;  孔光临
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