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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强 Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1598/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠鸾; 王勇刚; 林涛; 王俊; 郑凯; 冯小明; 仲莉; 马杰慧; 马骁宇 Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1148/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1277/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国 Adobe PDF(339Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1147/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑厚植; 李桂荣; 杨富华 Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1337/165  |  提交时间:2009/06/11 |
| 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1222/179  |  提交时间:2009/06/11 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(830Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1000/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠梅; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(656Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1029/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林 Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1098/169  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘超; 高兴国; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1228/176  |  提交时间:2009/06/11 |