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| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽
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| 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平
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| 带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张洪波; 韦欣; 朱晓鹏; 王国宏; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma BS; Su FH; Ding K; Li GH; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin HP; Tu CW; Ma, BS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xin G; Sun, GS; Li JM; Zhang YX; Lei W; Zhao WS; Zeng YP; Xin, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gaoxin@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘喆 ; 王军喜; 李晋闽; 刘宏新; 王启元; 王俊; 张南红; 肖红领; 王晓亮; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张洪波; 韦欣; 朱晓鹏; 王国宏; 张敬明; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张洪波; 韦欣; 朱晓鹏; 王国宏; 张敬明; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 高欣; 孙国胜; 李晋闽; 赵万顺; 王雷; 张永兴; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖红领; 王晓亮; 张南红; 王军喜; 刘宏新; 韩勤; 曾一平; 李晋闽
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