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| 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 伊晓燕; 王良臣; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(529Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1545/250  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王立彬; 伊晓燕; 刘志强; 陈宇; 郭德博; 王良臣 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1674/265  |  提交时间:2009/06/11 |
| 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 李艳 Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1548/257  |  提交时间:2009/06/11 |
| P型氮化镓电极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕 Adobe PDF(368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1433/202  |  提交时间:2009/06/11 |
| GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 郭金霞 Adobe PDF(581Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1560/229  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王良臣; 伊晓燕; 刘志强 Adobe PDF(698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1317/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1158/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 王良臣; 王立彬; 郭金霞; 伊晓燕 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1171/164  |  提交时间:2009/06/11 |
| 发光二极管封装结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 杨华; 卢鹏志; 谢海忠; 于飞; 郑怀文; 薛斌; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1514/231  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 孙波; 王国宏 Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1508/234  |  提交时间:2012/09/09 |