采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法
伊晓燕; 王良臣; 王国宏; 李晋闽
2009-01-28
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2007-07-25
语种中文
申请号CN200710119474.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4285
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
伊晓燕,王良臣,王国宏,等. 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法[P]. 2009-01-28.
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