低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法
陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 李艳
2008-05-07
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-11-01
语种中文
申请号200610114192
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4013
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
陈宇,王良臣,伊晓燕,等. 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法[P]. 2008-05-07.
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