已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2010/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1901/298  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(495Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1656/153  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 王军喜; 刘乃鑫; 路红喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(417Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1605/267  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2103/300  |  提交时间:2011/08/31 |
| 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010514077.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏同波; 王军喜; 路红喜; 刘乃鑫; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1722/258  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种紫外LED的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102148300A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 贠利君; 吴奎; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜 Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1958/343  |  提交时间:2012/09/09 |
| 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014 发明人: 冯向旭; 张宁; 刘乃鑫; 付丙磊; 朱绍歆; 张连; 魏同波; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(231Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1299/133  |  提交时间:2014/11/17 |