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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| GaAs 基1.55 μm GaInNAs(Sb)、异变InGaAs 量子阱材料与激光器 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008 作者: 吴东海
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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红 ; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
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| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Niu Zhichuan ; Ni Haiqiao; Fang Zhidan; Gong Zheng; Zhang Shiyong; Wu Donghai ; Sun Zheng; Zhao Huan; Peng Hongling ; Han Qin ; Wu Ronghan
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Jiang DS ; Qu YH; Ni HQ; Wu DH ; Xu YQ ; Niu ZC ; Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dsjiang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Niu Zhichuan ; Han Qin ; Ni Haiqiao; Yang Xiaohong ; Xu Yingqiang ; Du Yun; Zhang Shiyong; Peng Hongling ; Zhao Huan; Wu Donghai ; Li Shuying; He Zhenhong; Ren Zhengwei; Wu Ronghan
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 苗振华; 徐应强 ; 张石勇; 吴东海 ; 赵欢; 牛智川![](/image/person.jpg)
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