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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang LQ; Zhang SM ; Jiang DS; Wang H; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Yang H; Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: lqzhang@semi.ac.cn; hyang@red.semi.ac.cn
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| GaN-based violet lasers grown on sapphire with a novel facet fabrication method 会议论文
作者: Yingdong Tian; Yun Zhang; Jianchang Yan; Xiang Chen; Yanan Guo; Xuecheng Wei; Junxi Wang; Jinmin Li
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| GaN 的MOCVD 侧向外延生长研究 学位论文
作者: 陈俊
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li XB; Sun DZ; Zhang JP; Kong MY; Li XB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu XQ; Guo Y; Liu XL; Liu JM; Song HP; Zhang BA; Wang J; Yang SY; Wei HY; Zhu QS; Wang ZG; Xu, XQ, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. xxq@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn; qszhu@semi.ac.cn
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| GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
作者: 何晓光
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| GaN HEMT材料的MOCVD生长及新结构研究 学位论文
作者: 崔磊
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X.G. He; D.G. Zhao; D.S. Jiang; J.J. Zhu; P. Chen; Z.S. Liu; L.C. Le; J. Yang; X.J. Li; J.P. Liu; L.Q. Zhang; H. Yang
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| GaN 基 HEMT材料的新结构研究 学位论文
作者: 毕杨
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| GaN 基半导体材料的非线性光学性质研究 学位论文
作者: 陈平
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| GaN 基垂直结构 LED 工艺研究 学位论文
作者: 汪炼成
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| GaN 基垂直腔面发射激光器研究 学位论文
作者: 张江勇
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| GaN 基HEMT 材料的MOCVD 生长及器件应用研究 学位论文
作者: 马志勇
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| GaN 基HEMT 材料及器件研究 学位论文
作者: 王翠梅
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| GaN 基激光器的一维光场模拟和相关材料的生长及特性研究 学位论文
作者: 金瑞琴
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| GaN 基激光器结构设计与发光特性研究 学位论文
作者: 侯玉菲
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| GaN 基蓝光LED droop的机理与抑制技术研究 学位论文
作者: 郭瑶
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| GaN 基蓝紫光激光器研究 学位论文
作者: 李德尧
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| GaN 基LEDs 可靠性及失效机理的研究 学位论文
作者: 符佳佳
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| GaN 基纳米结构LED 的制作及测试分析研究 学位论文
作者: 朱继红
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