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| 硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-06, 2013-03-06
发明人: 袁丽君; 于红艳; 周旭亮; 王火雷; 潘教青
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| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
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| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-16
发明人: 袁丽君; 于红艳; 周旭亮; 王火雷; 潘教青
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| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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| 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
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| 硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
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