在Si基上制备InP基HEMT的方法 | |
李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-06-05 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体材料 |
Application Date | 2013-02-27 |
Application Number | CN201310061105.3 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25559 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李士颜,周旭亮,于鸿艳,等. 在Si基上制备InP基HEMT的方法. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
在Si基上制备InP基HEMT的方法.p(488KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment