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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiaming Luo;   Sufang Li;   Mengke Xu;   Min Guan;   Mengxi Yang;   Jingyi Ren;   Yang Zhang;   Yiping Zeng
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硅基III-V族混合激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李梦珂
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li ShiYan;  Zhou XuLiang;  Kong XiangTing;  Li MengKe;  Mi JunPing;  Bian Jing;  Wang Wei;  Pan JiaoQing
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lv, Xiaomin;  Qiu, Weibin;  Wang, Jia-Xian;  Ma, Yuhui;  Zhao, Jing;  Li, Mengke;  Yu, Hongyan;  Pan, Jiaoqing
Adobe PDF(717Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1198/464  |  提交时间:2013/08/27
一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  米俊萍;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  李士颜;  潘教青
Adobe PDF(785Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:688/72  |  提交时间:2014/12/25
一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:710/71  |  提交时间:2014/12/25
在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人:  李士颜;  周旭亮;  于鸿艳;  李梦珂;  米俊萍;  潘教青
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硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(1141Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:601/53  |  提交时间:2014/12/25
基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人:  李梦珂;  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  米俊萍;  潘教青
Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:697/84  |  提交时间:2014/12/25
一种硅基微腔激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  潘教青;  王圩
Adobe PDF(599Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:639/71  |  提交时间:2014/11/05