基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件
李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-06-26
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-02-27
申请号CN201310060711.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25873
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
李梦珂,周旭亮,于红艳,等. 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件.
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