| 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法 | |
| 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2013-08-21 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 申请日期 | 2013-05-14 |
| 申请号 | CN201310176286.4 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25617 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周旭亮,于红艳,李士颜,等. 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法.pd（532KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [周旭亮]的文章 |
| [于红艳]的文章 |
| [李士颜]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [周旭亮]的文章 |
| [于红艳]的文章 |
| [李士颜]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [周旭亮]的文章 |
| [于红艳]的文章 |
| [李士颜]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论