一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法
米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-06-19
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-03-06
申请号CN201310069787.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25852
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
米俊萍,周旭亮,于红艳,等. 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法.
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