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| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人: 范亚明 ; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫
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| 制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
发明人: 韩培德
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| 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
发明人: 占 荣; 惠 峰; 赵有文
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| 边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人: 陆全勇; 张 伟; 王利军; 高 瑜; 尹 雯; 张全德; 刘万峰; 刘峰奇; 王占国
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| 利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 蔡芳芳; 范海波; 张攀峰; 刘祥林
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| 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 董志远; 赵有文; 杨 俊; 段满龙
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| 一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 张兴旺; 范亚明; 陈诺夫
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| AlN 晶体的离子注入掺杂及缺陷研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 李巍巍
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| 锰掺杂锑化镓晶体的性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 陈晓锋
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| 宽禁带立方氮化硼薄膜的制备与掺杂研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 范亚明
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