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| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 | |
范亚明 ; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫
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| 2010-08-12 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2010-03-17 ; 2010-08-12 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:取一硅衬底;步骤2:将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上，用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源;步骤3:将衬底加热;步骤4:离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子源，主离子源采用Ar+离子轰击硼靶与硅靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击衬底，使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜;步骤5:在离子束辅助沉积系统中将衬底降温;步骤6:取出制备后的衬底，进行应力参数测试，完成制备。 |
| Application Date | 2008-09-10 |
| Language | 中文 |
| Status | 实质审查的生效 |
| Application Number | CN200810119797.1 |
| Patent Agent | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13364 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 范亚明,张兴旺,谭海仁,等. 降低立方氮化硼薄膜应力的方法[P]. 2010-08-12. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 3548.pdf（391KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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