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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, Q;  Zhang, XW;  Fan, WJ;  Li, SS;  Xia, JB;  Fan, WJ, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Nanyang Ave, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang, ZJ;  Shi, LJ;  Fang, ZJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nnfang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi HL;  Duan YF;  Shi HL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hlshi@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ran JX (Ran Junxue);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Hu GX (Hu Guoxin);  Li JP (Li Jianping);  Wang BZ (Wang Baozhu);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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Heavily doped polycrystalline 3C-SiC growth on SiO2/Si(100) substrates for resonator applications 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Sun, G (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Liu, X (Liu, Xingfang);  Zhao, Y (Zhao, Yongmei);  Li, J (Li, Jiaye);  Wang, L (Wang, Lei);  Zhao, W (Zhao, Wanshun);  Wang, L (Wang, Liang);  Sun, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Polycrystalline 3c-sic  Resonator  Doping  Silicon-carbide  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Huang DD;  Li JP;  Liu C;  Gao, F, Shaanxi Normal Univ, Coll Phys & Informat Technol, Xian 710062, Peoples R China. 电子邮箱地址: feigao@snnu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng WQ;  Qu SC;  Cong GW;  Wang ZG;  Peng, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqpeng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang L;  Lin T;  Wei X;  Wang GH;  Zhang GZ;  Zhang HB;  Ma XY;  Jiang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen WD;  Song SF;  Zhu JJ;  Wang XL;  Chen CY;  Hsu CC;  Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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Doping  Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Semiconducting Gallium Compounds  Erbium  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song SF;  Chen WD;  Su FH;  Zhu JJ;  Ding K;  Hsu CC;  Song, SF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sfsong@red.semi.ac.cn
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