Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 | |
| 占 荣; 惠 峰; 赵有文 | |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2009-12-16 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种使用生长半绝缘砷化镓的石英管在砷化镓中掺碳的方法，包括如下步骤:步骤1:将7N Ga和7N As进行多晶合成，形成GaAs多晶;步骤2:将合成好的GaAs多晶、籽晶和B2O3放入PBN坩埚;步骤3:将PBN坩埚放入石英管的石英体中;步骤4:将纯石墨固定在石英管的石英帽上的石英槽内;步骤5:将石英体和石英帽盖合，抽真空，用氢氧焰焊接石英管的石英体和石英帽;步骤6:将焊接后的石英管放入VGF单晶炉，进行气氛掺杂，单晶生长;步骤7:将晶体生长后的PBN坩埚放入甲醇内浸泡，得到GaAs单晶，完成GaAs单晶的制备。 |
| 申请日期 | 2008-06-11 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810114794.9 |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13456 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 占 荣,惠 峰,赵有文. 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法[P]. 2010-08-12. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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