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应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  赵凤瑗;  焦春美;  于英仪
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包含硅基稀土掺杂发光材料的电致发光器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  成步文;  余金中;  王启明
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准一维掺杂半导体纳米材料的制备与研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  程抱昌
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过渡金属和稀土离子掺杂纳米晶的光学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  苏付海
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邵云东;  王柱;  赵有文;  唐方圆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李国华;  马宝珊;  王文杰;  苏付海;  丁琨;  赵建华;  邓加军;  蒋春萍
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  薛春来;  成步文;  姚飞;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖雪芳;  杨国华;  王国宏;  王树堂;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋淑芳;  陈维德;  许振嘉;  徐叙瑢
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  孙文荣;  段满龙;  董志远;  杨子祥;  吕旭如;  王应利
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