中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
电学测试的汞探针装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:  纪 刚;  孙国胜;  宁 瑾;  刘兴昉;  赵永梅;  王 雷;  赵万顺;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1913/331  |  提交时间：2010/08/12
一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  闫发旺;  高海永;  张 扬;  张会肖;  李晋闽;  曾一平;  王国宏 
Adobe PDF(443Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1402/265  |  提交时间：2010/03/19
氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  宁 瑾;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平
Adobe PDF(564Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1582/262  |  提交时间：2010/03/19
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
Adobe PDF(556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1611/269  |  提交时间：2009/06/11
一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高永海;  张扬;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖
Adobe PDF(526Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1592/272  |  提交时间：2009/06/11
A Simplified Soft-output QRD-M MIMO Detector 会议论文
2009 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON WIRELESS COMMUNICATIONS, NETWORKING AND MOBILE COMPUTING, VOLS 1-8, Beijing, PEOPLES R CHINA, 2009
作者:  Jian HF (Jian Haifang);  Yi Y (Yi Yong);  Shi Y (Shi Yin);  Jian, HF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(274Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1444/344  |  提交时间：2010/04/13
Mimo-ofdm  Qrd-m  Soft-output  Detector  
用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  张扬;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖
Adobe PDF(447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1558/270  |  提交时间：2009/06/11
高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张扬;  闫发旺;  高海永;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  李晋闽
Adobe PDF(561Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2903/218  |  提交时间：2009/06/11
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1515/230  |  提交时间：2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1334/218  |  提交时间：2009/06/11