基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
2008-10-08
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2007-04-05
语种中文
申请号CN200710065183.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4213
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
赵永梅,孙国胜,刘兴昉,等. 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法[P]. 2008-10-08.
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