用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平
2008-03-26
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2006-09-18
语种中文
申请号200610126999
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4027
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
刘兴昉,孙国胜,李晋闽,等. 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法[P]. 2008-03-26.
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