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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu Shi-Ming; Xiao Hong-Ling; Wang Quan; Yan Jun-Da; Zhan Xiang-Mi; Gong Jia-Min; Wang Xiao-Liang; Wang Zhan-Guo
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Mao X (Mao Xue); Han PD (Han Pei-De); Hu SX (Hu Shao-Xu); Gao LP (Gao Li-Peng); Li XY (Li Xin-Yi); Mi YH (Mi Yan-Hong); Liang P (Liang Peng)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 曾凡平; 韩培德 ; 高利朋; 冉启江; 毛雪; 赵春华; 米艳红
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| 在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人: 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川
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| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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| 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 周旭亮; 于红艳; 米俊萍; 潘教青; 王圩
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| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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| 分布反馈式激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人: 王火雷; 米俊萍; 于红艳; 丁颖; 王宝军; 边静; 王圩; 潘教青
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| ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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