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| 纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2015 作者: 付英春 Adobe PDF(2634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1340/53  |  提交时间:2015/06/03 相变存储器 全限制 自对准 牺牲层 量子点 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Fu YC (Fu Ying-Chun); Wang XF (Wang Xiao-Feng); Fan ZC (Fan Zhong-Chao); Yang X (Yang Xiang); Bai YX (Bai Yun-Xia); Zhang JY (Zhang Jia-Yong); Ma HL (Ma Hui-Li); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-Hua) Adobe PDF(2007Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:845/274  |  提交时间:2013/04/18 |
| 水平全限制相变存储器工艺研发及器件制备研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 付英春 Adobe PDF(5214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1189/29  |  提交时间:2012/06/25 |
| 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17 发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华 Adobe PDF(847Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:909/94  |  提交时间:2014/12/25 |
| 环形垂直结构相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24 发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华 Adobe PDF(1094Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:873/86  |  提交时间:2014/11/17 |
| 通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华 Adobe PDF(890Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:895/86  |  提交时间:2014/10/29 |
| 与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 季安; 杨富华 Adobe PDF(767Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:683/96  |  提交时间:2014/10/31 |
| 通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华 Adobe PDF(708Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:873/124  |  提交时间:2014/10/31 |
| 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17 发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华 Adobe PDF(847Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:714/80  |  提交时间:2014/12/25 |
| 基于埋层的垂直结构存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华 Adobe PDF(1214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:854/89  |  提交时间:2014/12/25 |